一紙公告！英諾賽科股價起飛，年内股價已翻倍

原創

12月5日，在今日hth登录入口网页半導體板塊普遍走弱的市況之下，上市不足半年的英諾賽科（02577.HK）迎來爆拉。

早盤開盤後，英諾賽科股價扶搖直上，一度漲近8%，至83.15港元/股，創10月30日以來新高。

截至發稿前，該股漲7.27%，報82.6港元/股，年初至今累計漲幅為164%，該漲幅僅次於華虹半導體（01347.HK）年内累計漲幅的250%，位居hth登录入口网页半導體板塊漲幅榜次席。

今日該股大幅異動，或源於一則重磅喜訊。

英諾賽科公告宣佈，於2025年12月3日，公司與安森美半導體（ON.US）達成戰略合作協議，將採用英諾賽科成熟的8英寸矽基氮化镓工藝，共同推進氮化镓產業的應用和佈局。

公告顯示，此次合作，將通過晶圓採購等方式開展合作，整合英諾賽科在氮化镓製造方面的先進能力，及安森美半導體在繫統封裝與集成領域的經驗和優勢，加速推動氮化镓在新能源汽車、人工智能、數據中心及工業等重要領域的快速落地。

英諾賽科表示，此次合作，有望在未來數年為公司帶來數億美元的氮化镓銷售，並為雙方上述領域的市場開拓佈局帶來先機。

此外，在昨日的另一則公告中，英諾賽科表示，與英飛淩的訴訟案中取得勝利。公告顯示，美國東部時間2025年12月2日，針對英飛淩對英諾賽科發起的337調查案件，美國國際貿易委員會(ITC)發佈裁決結果：在涉案的兩項專利中，ITC裁定其中一項專利英諾賽科完全不侵權，另一項專利英諾賽科的規避設計方案(當前產品正在使用的設計方案)完全不侵權。

英諾賽科表示，此次ITC的裁決進一步明確了英諾賽科相關知識產權狀態，並將為其在未來的全球化發展掃清障礙。公司將持續尊重與保護知識產權，並致力於為全球客戶提供卓越的矽基氮化镓功率解決方案。

近年來，隨著全球人工智能競賽白熱化、算力需求激增，由此帶來的數據中心能耗問題日益凸顯，高性能GPU的電源管理成為關鍵瓶頸。

據悉，傳統矽基功率器件在效率上已接近物理極限，而第三代半導體具備獨特的物理特性，比如氮化镓和碳化矽具有更高的能量轉換效率，可以在更高的電壓下工作，可以提升數據中心的能效比、散熱管理和繫統可靠性。

在此背景下，氮化镓功率半導體行業站上AI的「超級風口」，迎來前所未有的發展機遇。

據弗若斯特沙利文數據顯示，用於數據中心的氮化镓功率半導體全球市場預計將由2024年的1.36億元增加至2028年的14.62億元，復合年增長率高達81.0%。

此外，電動汽車、光伏發電、人形機器人等領域前景廣闊，也正驅動氮化镓功率半導體市場加速增長。

而作為一家全棧氮化镓供應商及領先的氮化镓IDM企業，英諾賽科是唯一實現1200V-15V氮化镓功率器件量產的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。年内與英偉達等國際巨頭達成合作，亦是推高其業績及股價最重要的驅動因素之一。

財報顯示，2025年上半年，英諾賽科實現收入5.53億元（單位人民幣，下同），同比增長43.43%；毛利率由去年同期的-21.6%大幅提升至6.8%，實現毛利轉正；歸母淨虧損約4.29億元，但較上年同期已收窄12.2%。

英諾賽科強調，期内，公司在AI及數據中心、人形機器人、新能源汽車等高端應用領域取得重大突破。其中，面向AI及數據中心的銷售同比增長180%；車規級芯片交付同比增長128%；全球首次實現搭載氮化镓芯片的機器人量產出貨。

綜上所述，氮化镓功率半導體在數據中心、電動汽車、人形機器人等關鍵領域展現出極為廣闊的應用前景。英諾賽科憑借自身技術優勢與行業機遇，有望乘勢而上，推動整體業績繼續釋放。