三安光電：湖南三安主驅逆變器用SiC MOSFET已叠代到1200V 13mΩ

【財華社訊】8月21日，三安光電(600703.SH)在互動平台表示，湖南三安的主驅逆變器用SiC MOSFET已從1200V 16mΩ叠代到1200V 13mΩ。